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第三百九十三章 需求的技术(2/3)

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  王易有些无语。

  镜片可以说是他最早开始起家的地方,连魔力核聚变的原理都是从研究镜片时找到的。

  DUV光刻机可以说只是‘试试水’的产品。

  为啥一直用干式的光刻法?

  其实就是因为EUV光刻机是无法使用浸润法的,甚至EUV光刻机还不能用传统的干式,而是要用‘真空’环境。

  因为极紫外线已经是电离辐射,足够将空气电离了,更别说液体。

  这种情况下大本营之外的当然还是DUV,但蓬莱上本来就是王易亲自打造的镜片配套的EUV光刻体系。

  结构上和以前的DUV都还相当类似,完全成熟的技术。

  不像阿斯麦的EUV光刻机因为没有可以让极紫外线通过的镜头,需要使用反射,能量损失极为严重,每次反射都要浪费30%左右,最终只有2%的利用率。

  体积增大的同时光源的高功率还需要配套冷却系统,几乎是相当于完全新开一条赛道了。

  所以其实王易这边的EUV光刻机出来的还要更早,而且效率和良品率也要远超!

  “可是他们也有EUV了呀,硅基芯片的物理极限都快到了,老板,人家要升级嘛~”

  林诗琴的话也让王易有些无语。

  她应该能够知道,王易在量子计算的提升上对她是有一定限制的。

  毕竟量子计算的算力指数加成,配合王易的新公式算法,很容易导致失控。

  但经典计算机的算力提升,王易肯定还是不会给她什么制约的。

  EUV光刻机,分辨率远远超过了DUV光刻机。

  采用的是13.5nm波长,已经接近X射线的极紫外线,

  理论上已经能达到硅基芯片的极限!

  要知道单个的硅原子也就是0.12nm,还要考虑电子隧穿效应,所以目前正常的观点中,1nm差不多就是硅基芯片的极限了。

  当然,当初20nm的时候隧穿效应就已经出现,通过结构调整解决的,说不定等到1nm工艺后又找到了解决办法。

  可即便这样,0.12nm的硅原子大小也摆在这里,总不可能把原子分开。

  这种情况下,所需要考虑的要么就是通过叠加芯片数目来增加晶体管数,采取新架构和新的方式,要么就要考虑其他材料了。

  比如碳基就是一个方向,但碳基有待解决的问题太多了,麻烦还很多。

  而除此之外,还有另外一种材料,同等密度下算力能够超过硅基数百倍!

  而且因为功耗极低,几乎没有散热问题,可以轻易的集成与立体化叠加,达到理论上同规模下远超硅基上限的效率。

  那就是利用约瑟夫森结形成的超导材料。

  是,量子计算机也要运用到超导,但超导对计算机的运用可并不单单是量子计算机,传统的超导计算机同样也有着对应结构。

  只是因为性价比问题和现在的低温超导材料,目前只是做出过单个的约瑟夫森结来用来测试,并没有尝试过集成。
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